معرفي يك مدل مداري از لامپ نوسان ساز برهمكنش گسترده (EIO) با جايگزيني بار انتهايي توسط تلف توزيع شده جهت منبع موج ميلي متري

Developing a Circuit Model for Extended Interaction Oscillator EIO by Replacing the End Load with Distributed Loss for a Millimeter-wave Application

در مقاله حاضر با استفاده از يك مدل مداري، لامپ نوسان ساز برهمكنش گسترده (EIO) مدل شده است. رابطه اي براي تعيين عنصر كوپلاژ در مدل مداري با استفاده از خواص پاشندگي ساختار الكترومغناطيسي در نزديكي نقطه لبه باند ارايه شده است. بارگذاري انتهايي موجبر با ايجاد تلف گسترده شده در مدار جايگزين شده كه روابط رياضي تعيين كننده مقادير المان مدار را كاملا ساده مي سازد. يك نوسان ساز نمونه با استفاده از يك نرم افزار سه بعدي تجاري و نيز مدل مداري تحليل شده و نتايج آن با يكديگر مقايسه شده است.

Extended Interaction Oscillators (EIO) are vacuum electronic sources of microwave, millimeter-wave and terahertz radiations. In this paper, EIO is investigated by using a circuit model. The value of the coupling element in the model is evaluated from the near band-edge dispersion characteristics of the RF structure. The end external loading of the interaction structure is equivalently modeled by a distributed loss along the circuit which simplifies the external loading calculations in the circuit approach. A W-band (94 GHz) EIO is simulated by using the mentioned circuit approach and also by a three-dimensional particle-in-cell (PIC) solver and the results are compared