ارائه ساختار نوين ترانزيستور اثر ميدان سيليسيم روي عايق دو گيتي با پنجره اكسيد در درين گسترده شده به منظور كاربرد در تكنولوژي نانو

A Novel Double Gate SOI MOSFET by Considering a SiO2 Window in Extended Drain Region for Applying in Nano Technology

ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز-اكسيد-نيمه‌هادي (MOSFET (ماسفت)) با تكنولوژي سيليسيم روي عايق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به كار مي‌روند. بنابراين، دست‌يابي به ترانزيستورهاي ماسفت سيليسيم روي عايق در ابعاد بسيار كوچك نيازي مهم براي توسعه صنعت الكترونيك به حساب مي‌آيد. در اين مقاله يك ترانزيستور ماسفت سيليسيم روي عايق دو گيتي جديد در مقياس نانو پيشنهاد مي‌گردد كه در آن يك پنجره از اكسيد سيليسيم در ناحيه گستردگي درين بين درين و كانال و فصل مشترك اكسيد گيت پشتي قرار گرفته است. اين ساختار جديد OW-DG (Oxide Window Double Gate ناميده مي‌شود. شبيه‌سازي‌هاي انجام شده توسط شبيه‌ساز ATLAS نشان مي‌دهد كه ترانزيستور جديد، جريان حالت خاموش، خازن‌هاي پارازيتي و دماي الكترون را در مقايسه با ساختار متداول به‌طور چشم‌گيري كاهش مي‌دهد.

Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistor (MOSFET) with Silicon On Insulator (SOI) technology are widely applied in integrated circuits. So, achieving very small scale SOI MOSFET is an important need for developing electronic industry. In this work, a new double gate SOI MOSFET in nano scale is proposed where a SiO2 window is considered in extended drain region between channel, drain and interface of oxide and back gate. The new structure is called OW-DG. The simulation with ATLAS simulator shows that the new transistor reduces off-current, parasitic capacitances and electron temperature, significantly