عنوان مقاله :
بررسي اثر نوع هالوژن بر تغييرگاف انرژي در ساختارهاي پروسكايتي
عنوان فرعي :
The Effect of the Halogen Atoms on the Tuning the Band Gap in the Perovskite Structurese
پديد آورنده :
ستاري فرهاد
پديد آورندگان :
میرارشادی صغری نويسنده استادیار، فوتونیك، دانشگاه محقق اردبیلی Mirershadi Soghra , شكری امیر مسعود نويسنده دانشجوی كارشناسی ارشد، فیزیك – حالت جامد، دانشگاه محقق اردبیلی Shokri AmirMasoud , محمدی ساری درق محمود نويسنده دانشجوی كارشناسی ارشد، فیزیك – حالت جامد، دانشگاه محقق اردبیلی Mohammadi Sari Dargh4 Mahmoud
اطلاعات موجودي :
فصلنامه سال 1395 شماره 0
كليدواژه :
هيبريد آلي - معدني , نورزايي , گاف انرژي
چكيده فارسي :
با توجه به اهمیت به كارگیری ساختارهای پروسكایتی در نسل جدید سلول‌های خورشیدی، مطالعه بر روی خواص الكترونیكی و اپتیكی این ساختارها ضروری به نظر می‌رسد؛ بنابراین در این مقاله ابتدا ساختار پروسكایتی آلی - معدنی CH3NH3PbX3 با هالوژن‌های مختلف Cl و Br ،I X= سنتز شده، سپس تأثیر نوع هالوژن در ساختار مذكور بر روی خواص الكترونیكی آنها به طور تجربی مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد كه با تغییر نوع هالوژن، به راحتی گاف انرژی این ساختارها را می‌توان كنترل كرد. از این رو امید می‌رود كه بتوان از این ساختارها در ادوات الكترونیكی و اپتیكی بهره برد.
چكيده لاتين :
According to the recent remarkable developments of lead halide perovskite solar cells, investigation of the optical and electronical properties of perovskite structures seems necessary. In this paper, firstly Organic–inorganic CH3NH3PbX3 perovskite hybrids with X= Cl, Br and I were prepared by solution chemistry method. The effect of halogen atom on the electronical properties in this structure was studied experimentally. Our study concludes that the band gap energy can be tuned by varying the halogen atoms. Thus we believe that our studies will be beneficial for the fabrication of electronic and optical devises.
عنوان نشريه :
اپتوالكترونيك
عنوان نشريه :
اپتوالكترونيك
اطلاعات موجودي :
فصلنامه با شماره پیاپی 0 سال 1395
