عنوان مقاله :
پايداري سامانه اندازه‌گيري طول عمر پوزيترون و بررسي نوع و غلظت عيب ناشي از تابش الكترون هاي 10 مگا الكترون ولتي بر نمونه‌هاي سيليكوني نوع n و p
عنوان به زبان ديگر :
Stability of a positron lifetime measurement system, and investigation the types and concentrations of defects induced by10 MeV electron irradiation on n and ptypes Si
پديد آورنده :
طيب‌فرد اسماعيل
پديد آورندگان :
مهمان دوست خواجه‌داد علي‌اكبر نويسنده گروه فيزيك,دانشگاه سيستان و بلوچستان,ايران Mehmandoost Khajeh Dad A A , خاقاني مرتضي نويسنده گروه فيزيك,دانشگاه سيستان و بلوچستان,ايران Khaghani M , جعفرزاده خطيباني مرتضي نويسنده گروه فيزيك,دانشگاه سيستان و بلوچستان,ايران Jafarzadeh Khatibani M , پورصالح علي‌محمد نويسنده مجتمع پژوهشي كاربرد پرتوها,سازمان انرژي اتمي ايران,يزد,ايران Poorsaleh A M
سازمان :
گروه فيزيك,دانشگاه سيستان و بلوچستان,ايران
كليدواژه :
electron irradiation , Time resolution , crystalin defects , تابش الكترون , قدرت تفكيك زماني دستگاه , , عيوب بلوري , Positron annihilation lifetime spectroscopy , طيف‌سنجي طول عمر نابودي پوزيترون
چكيده فارسي :
طيف‌سنجي طول عمر نابودي پوزيترون در ماده، يكي از روش‌هاي با ارزش و غير مخرب در زمينه مطالعه مواد است كه مي‌تواند اطلاعاتي در مورد چگالي الكتروني، غلطت عيب، نوع عيب و اتم‌هاي اطراف عيب ارائه دهد. در اين تحقيق، پايداري زمان‌سنجي دستگاه بررسي و اثبات شده است. قدرت تفكيك زماني دستگاه با چشمه كبالت، 365 پيكوثانيه به دست آمده است. نمونه‌هاي سيليكوني نوع n و p تحت تابش باريكه الكترون با مقادير دز تابشي متفاوت 3، 12 و 30 كيلوگري با انرژي MeV 10 و حداقل جريان باريكه mA 0.2 قرار گرفته است. آمار جمع‌آوري شده براي هر نمونه، حداقل يك ميليون و دويست هزار شمارش است كه معمولا طي يك شبانه روز ثبت مي‌شود. طيف‌هاي ثبت شده، با برنامه رايانه‌اي PAScualبه سه مؤلفه طول عمر برازش، تجزيه و تحليل شده است. اولين مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودي پوزيترون درچشمه و حدود ps 186، دومين مؤلفه طول عمر مربوط به نابودي پوزيترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومين مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودي پوزيترون در عيوب است كه براي نمونه‌هاي مختلف، كوچك و متفاوت مي‌باشد.
چكيده لاتين :
Positron annihilation lifetime spectroscopy method with valuation of nondestructive investigation of material, provides information about electron density, defect concentration, type of defects and atoms around the defects. The stability of the system was tested with a source. The time resolution of the whole system has been derived about 365 ps at FWHM. Then n and ptype silicon samples were irradiated with a 10 MeV electron beam with dosage of 3, 12, and 30 kGy. Three components were fitted to the lifetime spectra using the PAScual program. The first component is related to the positron annihilation in the positron source which was obtained 186 ps. The second component is related to the positron annihilation lifetime in the sample bulk which was obtained 218 ps. The last lifetime component which is related to the positron annihilation in defect was small and sample dependent
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
