عنوان مقاله :
پايداري سامانه اندازه‌گيري طول عمر پوزيترون و بررسي نوع و غلظت عيب ناشي از تابش الكترون‌هاي 10 مگا الكترون ولتي بر نمونه‌هاي سيليكوني نوع n و p
عنوان فرعي :
Stability of a positron lifetime measurement system, and investigation the types and concentrations of defects induced by10 MeV electron irradiation on n- and p-types Si
پديد آورنده :
طيب‌فرد اسماعيل
پديد آورندگان :
مهمان دوست خواجه‌داد علی‌اكبر نويسنده گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان Mehmandoost Khajeh Dad A A , خاقانی مرتضی نويسنده گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان Khaghani M , جعفرزاده خطيبانی مرتضی نويسنده گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان Jafarzadeh Khatibani M , پورصالح علی‌محمد نويسنده سازمان انرژی اتمی ايران، مجتمع پژوهشی كاربرد پرتوها، يزد Poorsaleh A M
سازمان :
گروه فيزيك، دانشگاه سيستان و بلوچستان، زاهدان
كليدواژه :
crystalin defects , electron irradiation , Time resolution , Positron annihilation lifetime spectroscopy , تابش الكترون , طيف سنجي طول عمر نابودي پوزيترون
چكيده فارسي :
طيف‌سنجی طول عمر نابودی پوزيترون در ماده، يكی از روش‌های با ارزش و غير مخرب در زمينه مطالعه مواد است كه می‌تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الكترونی، غلطت عيب، نوع عيب و اتم‌های اطراف عيب ارائه دهد. در اين تحقيق، پايداری زمان‌سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفكيك زمانی دستگاه با چشمه كبالت، 365 پيكوثانيه به دست آمده است. نمونه‌های سيليكونی نوع n و p تحت تابش باريكه الكترون با مقادير دز تابشی متفاوت 3، 12 و 30 كيلوگری با انرژی MeV 10 و حداقل جريان باريكه mA 2/0 قرار گرفته است. آمار جمع‌آوری شده برای هر نمونه، حداقل يك ميليون و دويست هزار شمارش است كه معمولا طی يك شبانه روز ثبت می‌شود. طيف‌های ثبت شده، با برنامه رايانه‌ای PAScualبه سه مؤلفه طول عمر برازش، تجزيه و تحليل شده است. اولين مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزيترون درچشمه و حدود ps 186، دومين مؤلفه طول عمر مربوط به نابودی پوزيترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومين مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزيترون در عيوب است كه برای نمونه‌های مختلف، كوچك و متفاوت می‌باشد.
چكيده لاتين :
Positron annihilation lifetime spectroscopy method with valuation of non-destructive investigation of material, provides information about electron density, defect concentration, type of defects and atoms around the defects. The stability of the system was tested with a source. The time resolution of the whole system has been derived about 365 ps at FWHM. Then n- and p-type silicon samples were irradiated with a 10 MeV electron beam with dosage of 3, 12, and 30 kGy. Three components were fitted to the lifetime spectra using the PAScual program. The first component is related to the positron annihilation in the positron source which was obtained 186 ps. The second component is related to the positron annihilation lifetime in the sample bulk which was obtained 218 ps. The last lifetime component which is related to the positron annihilation in defect was small and sample dependent
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
