تاثير اندازه و موقعيت نقص روي اثر الكترواپتيك مربعي نقطه كوانتومي كروي GaN/AlGaN

Influence of Size and Position of Defect on Quadratic Electro Optic Effect of GaN/AlGaN Spherical Quantum Dot

در اين مقاله، يك نقطه كوانتومي كروي جديد براي افزايش و مديريت پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم اثر الكترو اپتيك مربعي پيشنهاد شده است. اين نانوساختار شامل پوسته نقص احاطه شده توسط دو چاه پتانسيل هست. اندازه نقطه كوانتومي، ضخامت، موقعيت و پتانسيل پوسته ي نقص تاثير زيادي روي پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم دارند. با حل عددي معادله شرودينگر در تقريب جرم موثر، پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم محاسبه شد. نتايج نشان مي دهند با افزايش اندازه نقطه ي كوانتومي پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم افزايش مي يابد. همچنين با افزايش ضخامت پوسته ي نقص پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم افزايش و طول موج تشديد انتقال به سرخ پيدا مي كند. بيشترين مقدار پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم وقتي قابل حصول هست كه در وضعيت متقارن موقعيت پوسته ي نقص، پتانسيل نقص برابر پتانسيل پله شود.

In this paper, a new spherical quantum dot is proposed to management and enhancement of third order nonlinear optical susceptibility of quadratic electro optic effect. This nanostructure is containing defective shell surrounding with two well. The size of quantum dot, thickness, position and potential of defect have a significant effect on third order optical susceptibility. By numerically solving of Schrödinger equation in the effective mass approximation the third order nonlinear optical susceptibility were calculated. The results are shown that with increasing of dot size the third order nonlinear optical susceptibility is increased. Also, with increasing of defect shell thickness the third order nonlinear optical susceptibility is increased and resonance wavelength is red shifted. The most value of third order optical susceptibility is available when in the symmetric condition of defect position, the defect potential becomes equal to the barrier potential.