عنوان مقاله :
بررسي نظري عملكرد نانوساختار SnS2 بعنوان لايه بافر در سلول خورشيدي CuIn1-xGaxSe2 و مقايسه آن با CdS
عنوان به زبان ديگر :
Theoretical Study of the SnS2 Nanostructure Performance as a Buffer Layer in CuIn1-xGaxS(e)2 Solar Cell and its Comparison with CdS
پديد آورندگان :
حقيقي، مريم دانشگاه صنعتي شريف - پژوهشكده علوم و فناوري نانو , مين باشي، مهران دانشگاه علم و صنعت - دانشكده فيزيك , تقوي نيا، نيما دانشگاه صنعتي شريف - پژوهشكده علوم و فناوري نانو , مهدوي، محمد دانشگاه صنعتي شريف - پژوهشكده علوم و فناوري نانو , احمد خان كردبچه، امير حسين دانشگاه علم و صنعت - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
خمش نوار رسانا , سلول خورشيدي (CIGS)(e) , نرم افزار SCAPS , لايه بافر , لايه نانوساختار SnS2
چكيده فارسي :
در اين مقاله، ابتدا سلول خورشيدي CIGSe با نسبت مختلف Ga/Ga In بر اساس داده هاي تجربي با استفاده از نرم افزار SCAPS مدلسازي شده است. سپس، تركيب SnS2 بعنوان بافري مناسب جهت حذف تركيب سمي CdS مطرح شده است. با توجه به نتايج مدلسازي، SnS2 ماده اي بسيار مناسب جهت جايگزيني با ماده سمي CdS مي باشد.
چكيده لاتين :
In this paper, firstly, the CIGSe solar cell with a different Ga/Ga In ratio was modeled based on experimental data using the SCAPS software. Then, the SnS2 composition was proposed as a suitable buffer for the elimination of toxic CdS compounds. According to the modeling results, SnS2 is a very suitable material for substitution of the toxic CdS.
