اثر دما بر چگالي جريان در ترانزيستور اثر ميداني نانونوار گرافينيي

The effect of temperature on current density in a graphene nanoribbon field effect transistor

گرافين، به دليل تحّرك ِالكتروني بالا و انعطاف پذيري، براي ساختِ قطعات الكترونيكي نظير ترانزيستورهايي با عملكرد ِبالا در چند سال ِاخير مورد توجه قرار گرفته است. در اين مقاله ما اثر دما را بر چگالي جريان يك ترانزيستور اثرميداني نانو نوارگرافيني (GNRFET) بررسي مي­ كنيم كه در آن كانال متشكل از آرايه ­اي از نانونوارهاي گرافيني دسته صندلي مي­ باشد در اين جا جريان الكتريكي را با استفاده از پتانسيل الكتروستاتيكي كمينه ­اي كه از حل تقريبي ِمعادله پواسون تقريبي با شرايط مرزي مناسب به دست مي‌آيد، در مقادير ِمتفاوت ولتاژهاي ِگيت بالا و پايين محاسبه مي‌نماييم. نتايج ما نشان مي­ دهند اثر دما بر منحني مشخصه­ جريان - ولتاژ به لحاظ ِكمّي قابل ِملاحظه است به طوري كه با بالا رفتن دما، چگالي جريان بشدت افزايش يافته و اين افزايش در دماهاي بالاتر، بيشتر است. همچنين با افزايش ولتاژ گيت بالا و گيت پايين، شيب منحني جريان برحسب دما تندتر مي­ باشد.