مروري بر تاثير افزودني‌هاي TiC و TiB2 بر سينترپذيري و خواص مكانيكي كامپوزيت‌هاي زمينه SiC

كاربيد سيليكون (SiCSiC) به دليل خواص مكانيكي ايده آل همچون سختي بالا، چگالي پايين، دماي ذوب بالا، مدول بالا و غيره به يك ماده مهندسي مناسب براي كاربردهاي دما بالا و مناسب براي ابزارهاي برشي تبديل شده است. گرچه محدوديت‌هاي نيز براي استفاده از اين ماده وجود دارد، از جمله زينترپذيري ضعيف و چقرمگي شكست پايين آن. از اينرو تقويت كننده‌هايي به منظور بهبود زينترپذيري و خواص مكانيكي به زمينه SiC افزوده مي‌شود كه در اين بين افزودني TiO2 به دليل تبديل شدن به صورت درجا بهTiC و TiB2 منجر به بهبود زينتر‌پذيري و خواص مكانيكي از جمله چقرمگي شكست، سختي، استحكام خمشي مي‌شود. روش‌هاي زينتر و ميزان و نوع تقويت كننده در اين كامپوزيت از پارامترهاي موثر در توليد و خواص نهايي محصول مي باشد كه ميتواند خواص متفاوتي را براي قطعه نهايي حاصل كند، در اين مقاله تلاش شده است كه تاثير تقويت كننده‌هاي TiC و TiB2 بر كامپوزيت‌هاي زمينه SiC مورد بررسي قرار گيرد.