Molecular beam epitaxial growth of PbTe and PbSnTe on Si(1 0 0) substrates for heterojunction infrared detectors

C. Boschetti، نويسنده , , I. N. Bandeira، نويسنده , , H. Closs، نويسنده , , A. Y. Ueta، نويسنده , , P. H. O. Rappl، نويسنده , , P. Motisuke، نويسنده , , E. Abramof، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2001

9

91

99

IV–VI compounds , Lead tin telluride , Molecular beam epitaxy , IV–VI/Si heterostructures , IV–VI infrared detectors

Infrared Physics & Technology

2001

Infrared Physics & Technology

327693