New anode design concept of 600V thin wafer PT-IGBT with very low dose P-buffer and transparent P-emitter design concept of 600 V thin wafer PT-IGBT with very low dose P-buffer and transparent P-emitter

Matsudai، نويسنده , , T.; Tsukuda، نويسنده , , M.; Umekawa، نويسنده , , S.; Tanaka، نويسنده , , M.; Nakagawa، نويسنده , , A.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

4

255

258

I E T Circuits, Devices and Systems

2004

I E T Circuits, Devices and Systems

371632