Title of article :
New anode design concept of 600V thin wafer PT-IGBT with very low dose P-buffer and transparent P-emitter design concept of 600 V thin wafer PT-IGBT with very low dose P-buffer and transparent P-emitter
Author/Authors :
Matsudai، نويسنده , , T.; Tsukuda، نويسنده , , M.; Umekawa، نويسنده , , S.; Tanaka، نويسنده , , M.; Nakagawa، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages :
4
From page :
255
To page :
258
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
2004
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371632
Link To Document :
بازگشت