سنتز نقاط كوانتومي CdSe و نقاط كوانتومي هسته -پوسته CdSe@CdS با روش فوتوشيميايي و بررسي خواص اپتيكي آنها

در این مقاله نقاط كوانتومی CdSe با استفاده از روش تابش امواج ماكروویو و CdSe@CdS با استفاده از روش جدید تابش فوتوشیمیایی سنتز شده است. از cdso4وna2seo3وna2s2o3 به عنوان مواد اولیه و از تیوگلیكولیك اسید TGA به عنوان عامل پوششی كه اندازه نانوذرات را كنترل میكند، استفاده شدهاست. ساختار كریستالی و خواص اپتیكی نقاط كوانتومی با استفاده از آنالیزهای XRD ، UV-Vis ، PL بررسی شده است. در تمامی این آنالیزها تشكیل CdSe و رشد پوسته CdS بر روی سطح نانوذرات CdSe تایید شده است. آنالیز XRD فاز هگزاگونال را برای CdSe با میانگین اندازه نانوذرات حدود1/5 نانومتر نشان داده است. برای نقاط كوانتومی CdSe@CdS قله پراش به زوایای بالاتر منتقل شده و تشكیل CdSe@CdS تایید شد.