اثر برهم كنش اسپين - مدار در ساختارهاي نامتجانس نيمه رسانا

Spin-orbit interaction effects in semiconductor heterostructures

در سیستم های دو بعدی دو نوع از مهمترین بر هم كنش های اسپین – مدار كه با ترمهای هامیلتونین در بردار موج خطی ذره نمایش داده می شوند اثر راشبا و درسلهاس هستند. در این مقاله ما تونل زنی بین لایه های الكترون دو بعدی را مورد بررسی و توجه قرار دادیم و نشان خواهیم داد كه این تونل زنی نسبت به ارتباط بین ضریب راشبا α و ضریب درسلهاس β بسیار حساس می باشد. در چنین سیستمی تونل زنی یكی از كاركترهای منطقی شرح محدودیت های مطرح شده بوسیله قوانین بقای انرژی و اندازه حركت می باشد.

In two dimensional_2D_ systems two types of spin-orbit interactionare the most important, giving terms in the Hamiltonianwhich are linear in the wave vector of the particle: the Rashba and Dresselhaus effects. In this paper we consider the tunneling between two 2D electron layers, and will show that this tunneling is very sensitive to the relationship between Rashba factor α and Dresselhaus factor β . In such a system the tunneling is of a resonant character on account of the restrictions imposed by the energy and momentum conservation laws.