مطالعه نقش پردازش ليزري در حضور ميدان مغناطيسي ضعيف طولي در ايجاد پاسخ امپدانسي نامتقارن نوارهاي آمورف كبالت پايه CoFeSiB

The role of laser annealing in the presence of longitudinal weak magnetic field on asymmetrical magnetoimpedance response of CoFeSiB amorphous ribbons

پاسخ امپدانسي نامتقارن (AMI) به دليل بهبود بيشتر كارايي حسگرهاي ميكرو مغناطيسي از نظر حساسيت ميداني و خطي بودن داراي اهميت بسيار است . اين رفتار براي نوارهاي آمورف Co68.15Fe 4.35Si 12.5B15 پردازش شده با ليزر پالسي Nd:YAG با طول موج 1064 nm و با تغيير پارامتر نرخ تكرار پالس، در هوا و طي اعمال ميدان مغناطيسي طولي 3 Oe بررسي شده است . نتايج نشان دهنده آن است كه عليرغم برخورداري نمونه خام از مقدار ناچيز ضريب نامتقارني ، رفتار پاسخ امپدانسي نامتقارن در نرخ تكرار پالس مختلف به يك شكل ظاهر نمي شود؛ در حاليكه با اعمال ميدان مغناطيسي ضعيف حين پردازش ليزري رفتاري همسان به صورت القاي ميدان ناهمسانگردي ديگري در نمونه ها و ظهور عدم تقارن در منحني MI حول ميدان مغناطيسي صفر ديده مي شود . تفاوت در پاسخ امپدانسي نامتقارن در نرخ تكرار پالس ليزري را مي توان به ناهمسانگردي متفاوتي كه به ازاي شرايط پردازش مختلف حاصل مي شود، نسبت داد .

Asymmetrical magnetoimpedance (AMI) is very important to further improve micromagnetic sensor performance in terms of linearity and sensitivity. This behavior was investigated for Co68.15Fe4.35Si12.5B15 amorphous ribbons irradiated by a 1064 nm Nd-YAG pulsed laser in air in the presence of 3 Oe longitudinal magnetic field with alternating pulse repetition rates. Results indicate that for different pulse repetition rates, various types of AMI profiles appear. When samples annealed in the presence of longitudinal field, because of induced anisotropy, another peak in MI profile occurs and rising in asymmetry factor takes place. Different behaviors of MI profiles refer to anisotropy strength induced by applying different parameters of laser annealing