محاسبه بهره آستانه ليزرهاي چاه كوانتومي براي ساختارهاي غير متقارن و غير پله اي

Threshold Gain Calculations of Asymmetric an‎d Non-Step Multi-Quantum Well Semiconductor Lasers

در اين مقاله مقدار ضريب حبس شدگي و گين استانه براي ليزر با چند چاه كوانتومي كاملا غيرمتقارن با ساختار غير پله براي اولين بار ارايه مي شود. ساختارهاي چاه كوانتومي اغلب به خاطر نحوه رشد لايه ها به صورت پله اي در نظر گرفته مي شوند. در عمل به دليل اينكه رشد لايه هاي نيمه هادي به صورت پيوسته نيست ساختارها به صورت غير پله اي مي باشند. يكي از مهمترين پارامترها در ليزرهاي با چاه كوانتومي ، گين استانه مي باشد. در اينجا مقادير ضريب حبس شدگي و گين استانه براي ساختارهاي پله و گوسي بررسي شدهاند. كليه شبيه سازي ها با نرم افزار Matlab انجام شده است.

In this paper, the confinement factor and the gain of a non-symmetric multi-quantum well semiconductor laser with non-step well shape are calculated numerically. Simulation of quantum well semiconductor lasers are done usually based on the abrupt variations in the neighbouring materials. Practically, it is not possible to construct such quantum wells because the material mole fraction of compound semiconductors can not change abruptly. One of important case in quantum well lasers is threshold gain. In this paper, the confinement factor and the threshold are considered numerically for abrupt and Gaussian like potential wells. The all simulations are done by MATLAB software