بهره نوري در ليزر چاه كوانتومي AlGaAs/GaAs با پتانسيل پاشل تلر اصلاح شده تحت اثر دما و فشار

Optical Gain in AlGaAs/GaAs quantum well laser with modified Pöschl-Teller potential affected by temperature and pressure

بهره نوري ليزر چاه كوانتومي AlGaAs/GaAs با پتانسيل پاشل تلر اصلاح شده تحت تأثير دما و فشار بدست آورده شده است. براي اين منظور، ابتدا معادله شرودينگر با پتانسيل پاشل تلر اصلاح شده به صورت نظري حل شده، ويژه مقادير انرژي و توابع موج براي اين ساختار بدست مي آيد و به دنبال آن ضريب بهره نوري براي يك ليزر چاه كوانتومي محاسبه مي شود و در ادامه وابستگي گاف انرژي و پتانسيل به دما و فشار بررسي مي گردد. در پايان اثر دما و فشار و چگالي حاملين بر روي ضريب بهره نوري بررسي مي گردد. نتايج نشان مي دهد كه بيشينه بهره نوري براي اين ساختار 2730cm-1 مي باشد.

Optical gain in AlGaAs/GaAs quantum well laser with modified Pöschl-Teller potential with considering the effect of temperature and pressure is obtained. For this purpose, at first the Schrödinger equation is solved in order to obtain eigenenergy and eigenfunction, then the optical gain is obtained. Pressure and temperature dependence of band gap and potential is also investigated. Finally the effect of temperature, pressure and density of the carriers on optical gain coefficient is investigated. Results show that the maximum optical gain is 2730cm-1 for this structure