مدل سازي مقاومت در ترانزيستور MOS داراي كاشت يوني

Modeling of resistance in the ion implanted MOS transistor

در اين مقاله مدلي را براي مقاومت ناحيه كانال ترانزيستور MOS داراي كاشت يوني ارائه م يكنيم و تاثير كاشت يوني را بر رفتار مقاومت افزاره مورد بررسي قرار مي دهيم. با به كار گيري ساختار داراي كاشت، مقاومت در ناحيه كانال تغيير خواهد كرد. در ساختار داراي كاشت تراكم ناخالصي بستر برابر آلايش بستر در ساختار بدون كاشت درنظر گرفته شد ه است و كاشت يوني، تراكم ناخالصي سطح ناحيه كانال را بيشتر كرده است. بنابراين يك توزيع ناخالصي پل هاي در ناحيه كانال بوجود مي آيد. اين توزيع ناخالصي موجب افزايش مقاومت ناحيه كانال مي شود و به دليل اينكه بين مقاومت و جريان رابطه معكوسي وجود دارد، كاهش جريان را در پي خواهد داشت.

In this paper we investigate the effect of ion implantation in the channel region of the MOS transistor on behavior of the device resistance. In the new structure, the resistance varies due to ion implantation. Doping concentration of substrate in the new structure is chosen lower than that in the ordinary structure, and doping of the implant is equal to that of uniform substrate in the ordinary structure. Thus a stepped doping profile is created in the channel region. The stepped profile causes the reduction in the channel region resistance and since there is an inversely proportional between the resistance and the current, the current increases