بررسي تاثير طول گيت بر مشخصات الكتريكي ترانزيستور با قابليت حركت الكترون بالا مبتني بر Al0.25Ga0.75N/ In0.1Ga0.9N

An Investigation in to the effect of gate length on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/ In0.1Ga0.9N based HEMT

وابستگي مشخصات الكتريكي به طول گيت ترانزيستور براي در ساختار PseudomorphicHEMT مبتني بر AlGaN / InGaN يعني افزاره PHEAT با آلايش يكنواخت (Uniformly doped PHEMAT ) و افزاره PHEAT با دو لايه نازك با آلايش زياد (Double Delta doped layers PHEAT با استفاده از شبيه سازي عددي مورد بررسي قرار مي گيرد. اثرات كانال كوتاه به طور موثر بر مشخصات الكتريكي هر دو اقزاره به خصوص در طول گيت هاي زير 100 نانومتر تاثير مي گذارد.نتايج شبيه سازي نشان مي دهند كه ماكزيمم فركانس قطع 156GHzبراي افزاره U - PHEAT با طول گيت 70 نانومتر حاصل مي شود، در حالي كه افزاره D - PHEMT با طول گيت 70 نانومتر فركانس قطع 162GHz را از خود نشان مي دهد.

The gate length (Lg) dependence of the electrical characteristics in AlGaN/InGaN PHEMT with two structures namely Uniformly doped PHEMT(U-PHEMT) and PHEMT with double delta doped(D-PHEMT) layers are investigated using two-dimensional commercial numerical simulator. For both PHEMT,short channel effects affectelectrical characteristics significantly especially in devices with gate lengths of sub-100 nm regime.Simulation results indicate that a maximum cutoff frequency of 156 GHz is obtained for 70 nm gatelength U-HEMT while the 70 nm gate-length D-PHEMT displays cutoff frequency of 162 GHz