بررسي اثر خوردگي بر سطح سيليكان متخلخل با استفاده از طيف پراكندگي

Study of etching effect on porous silicon surface by scattering spectrum

بررسي زبري سطح نمونه هاي سيليكان متخلخل با اندازه گيري طيف پراكندگي و با بكار بردن معيار رايلي و معادله ديويس - بنت، انجام شد. نمونه هاي مورد نظر با چگالي جريان - mA / om 10 در زمانهاي آنديزاسيون 2و عو10 و 14 دقيقه ساخته شدند. درصد تخلخل نمونه ها به روش وزن سنجي بدست آمد. طيف پراكندگي نمونه ها در زاويه هاي فرود 10 و 15 و 20 درجه با استفاده از دستگاه اسپكتروفوتومتر، اندازه گيري شد. شدت نور پراكنده شده با افزايش زاويه پر كندگي به غير از حالت بازتاب آينه اي، كاهش يافت كه اين با نظريه آزمايش موافقت دارد. در نهايت نمودار هايي جهت بررسي روابط بين زبري، شدت پراكندگي، درصد تخلخل و زاويه هاي پراكندگي بررسي شدند. بررسي ها نشان دادند كه رابطه ميان شدت پراكندگي و ميزان خوردگي با تغيير مقياس مشاهده (طول موج) قابل تغيير است.

Study of porous silicon (PS) roughness by scattering spectrum measurement and applying Rayleigh criterion mA/cm and etching time and Davis-Bennet equation, is done. Our PS samples are made at current density of 10 of 2,6,10 and 14 min. Porosity of samples is obtained by gravimetric method. PS scattering spectrum is measured by spectrophotometer in incident angles: 10, 15, and 20 degree. Scattering intensity of the samples reduces by increasing scattering angles, except specular reflection, this is in agreement with the theory. Some curves are considered, in order to find relation among roughness, intensity scattering, porosity and scattering angles. Our Investigations show that relation between scattering intensity and etching value can vary with observation scale variation wavelength