شماره ركورد كنفرانس :
3632
عنوان مقاله :
Insulator Thickness Scaling: I-V Characteristics of 1D Nanowire MOSFETs and TFETs
پديدآورندگان :
Gholamreza Karimi , Satar Mirzakouchaki ,
كليدواژه :
carbon nanotube , field effect transistor , insulator thickness , scaling , I , V characteristics
كشور :
ايران
نويسنده :
Shahin Ghorbanzadeh Shirazi
كلمات كليدي :
carbon nanotube; field effect transistor; insulator thickness; scaling; I-V characteristics
لينک به اين مدرک :
بازگشت