طيف تراگسيل نانوبلورهاي فوتوني ابرساناي HTS-D) N ) وLTS-D) N )

در اين مقاله، طيف تراگسيل نانوبلورهاي فوتوني شامل مواد ابررساناي دماي بالا و پايين موسوم به (HTS-D) N و (LTS-D) N را مطالعه كرديم. نتايج ما با بهره گيري از روش ماتريس انتقال و مدل دو شاره اي نشان داد كه طيف تراگسيل اين ساختارها به تغييرات ضخامت لايه دي الكتريك و لايه ابررسانا و همچنين تغييرات زاويه فرودي خيلي حساس مي باشند. طوريكه با افزايش ضخامت لايه دي الكتريك و كاهش ضخامت لايه ابررسانا، جابجايي به سمت چپ طيف تراگسيل نانوبلور فوتوني شامل ابررساناي دماي بالا را برعكس جابجايي به سمت راست طيف تراگسيل نانوبلور فوتوني شامل ابررساناي دماي پايين مشاهده كرديم. درحالي كه با افزايش زاويه فرودي رفتار مشابهي از هردو نانوبلور فوتونيكي ديديم