مدلسازي محاسباتي براي نانو سيم هاي فوتونيكي

Computational Modeling for Photonic Nanowires

دقت در طراحي ابزارهاي فوتونيك باعت عملكرد بهتر آنها مي شود . تغيير كوچك در ابعاد نانوسيمهاي سيليكون باعث تغيير دركوپلاژ مدهاي ميدان الكتريكي و مغناطيسي ميشود. در اينجا از روش المان هاي محدود براي محاسبه اثر نانوسيم در تزويج و تركيب مدها شده و اثر تغييرات اندازه مشابندي در نتيجه محاسبات H = 220 nm و W = 400 nm , S =100 nm بررسي گرديده است. پارامترهاي موجبر برابر زير هستند

Precision in the design of photonic devices leads to providing better performance. Here the coupling of Transverse electric ( TE ) and transverse magnetic ( TM ) modes in silicon nanowire bends have been studied. Finite Element method (FEM) is utilized. The effect of mesh size on the convergence towards the final results is obtained. The waveguide parameters and sizes are H=220nm, W=400nm and S=100nm.