شماره ركورد كنفرانس :
3908
عنوان مقاله :
شبيه سازي و مقايسه ترانزيستورهاي اثرميداني نانو نوار گرافني،سيليكن و ژرمانن با استفاده از روش تابع گرين
پديدآورندگان :
حاجي نوروز قاسم Ghasem_4240@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي، واحد اراك، گروه مهندسي برق- الكترونيك، اراك، ايران , حري اشكان Ashkan_horri@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي، واحد اراك، گروه مهندسي برق- الكترونيك، اراك، ايران
كليدواژه :
گرافن , سيليكن , ژرمانن , فرمولاسيون تابع گرين(NEGF) , معادله شرودينگر
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي رويكردهاي نو در مهندسي برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
در اين مقاله به بررسي عملكرد بالستيك ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو نوار مبتني بر گرافن ، سيليكن و ژرمانن پرداخته ايم.شبيه سازي ها در حالت بالستيك و با استفاده از روال تابع گرين غير تعادلي (NEGF) و در فضاي مد صورت گرفته است. نتايج حاصله نشان مي دهد كه ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافني داراي نسبت جريان روشني به خاموشي بالاتر و توان مصرفي كم تر و تاخير زماني بيشتر و بازاي كاهش ولتاز گيت داراي جريان تونل زني كم تري نسبت به ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار سيليكني و ژرمانني مي باشد.
