بررسي و محاسبه تئوري ولتاژ شكست حالت روشن در افزاره سيليكون روي عايق با طول كانال45نانومتر

calculate onstate breakdown voltage of 45 nm soi

شكست در افزاره‌هاي ماسفت سيليكون روي عايق بر اثر جريان يونيزاسيون برخوردي الكترون‌ها در نزديكي ترمينال درين ايجاد مي‌شود كه توسط ترانزيستور دو‌قطبي پارازيتي تقويت مي‌شود. ولتاژ شكست پايين، يكي از مشكلات مهم در افزاره‌هاي كانال كوتاه مي‌باشد. افزاره‌هاي ماسفت سيليكون روي عايق، بر اثر پديده بدنه شناور، در مقايسه با افزاره‌هاي ماسفت بدنه سيليكون شكست متفاوتي دارند. در اين مقاله مكانيسم شكست در افزاره‌هاي سيليكون روي عايق بررسي شده و فرآيند شكست را مدل سازي كرده‌ايم و به طور مفصل به بررسي مكانيسم شكست حالت روشن و تأثير مقاومت بدنه بر اين مكانيسم در افزاره‌هاي سيليكون روي عايق با طول كانال 45نانومتر پرداخته شده‌است، تأثير مقدار مقاومت بدنه بر ولتاژ شكست حالت روشن، به صورت تئوري بررسي شده ‌است.

Failure in silicon mosfet devices on insulator is due to electrons colliding ionization flow near the duct terminal, which is amplified by a parasitic bipolar transistor. Low defrosting voltage is one of the major problems in short channel devices. Silicon MOSFET devices on the insulation, due to the phenomenon of floating body, are different in comparison to the MOSFET devices of the silicon body. In this paper, the failure mechanism in silicon devices on insulators has been investigated and the failure process has been modeled and in detail the mechanism of the failure of the state and the effect of the body resistance on this mechanism in silicon devices on insulation with a length of 45 nm channel has been studied, the effect of the amount The resistance of the body to the brightness failure state is investigated theoretically.