بررسي تاثير حذف تك اتمي كربن در نانوشيت گرافن بر ميزان شكاف انرژي آن

Investigating the effect of carbon removal in graphene nanosheet on its energy gap

رسيدن به ابعاد نانو و كشف خواص پيچيده و جذاب آن در سال هاي اخير نظر دانشمندان و محققان بسياري را به خود جلب كرده است. از جمله ي اين خواص عملكرد اين ساختار ها به عنوان ادوات نيمه رسانا مي باشد. در راستاي سليقه كليه ي شركت هاي توليد كننده ي قطعات الكترونيكي مي توان از اين نانو ساختار ها در ساخت آي سي ها و مدارات حافظه استفاده كرد كه يكي از مهم ترين چالش هاي آن شناخت دقيق ساختار ها مي باشد. در ميان نانو ساختار ها، گرافن تشكيل شده از كربن خواص شكفت آوري دارد. اين مطالعه نيز با در نظر گرفتن اين مهم به بررسي رفتار گرافن از نظر رسانايي و ميزان شكاف باند انرژي پرداخته است. در اين مطالعه براي رسيدن به نيمه رساناهاي مثبت و منفي از روش ايجاد حفره استفاده شده است. پژوهش صورت گرفته با حذف تك اتمي از ساختار نانو شيت گرافن با عرض يازده به اين نتيجه رسيده است كه حذف اتم هاي موجود در يك رديف تاثير يكساني بر ميزان شكاف باند انرژي مي گذارد. اين تاثير مي تواند اساس طراحي قطعات با ساختار هاي رسانا، نيمه رسانا و نارسانا باشد.

Getting to the nano dimension and discovering its intricate and attractive properties has attracted many scholars and researchers in recent years. One of these properties is the performance of these structures as semiconductor devices. In the direction of the taste of all electronics manufacturing companies, these nanoscales can be used to build ICs and memory circuits, one of the most important challenges being the precise knowledge of structures. Among the nanostructures, carbon-based graphene has blooming properties. This study also considers the graphene behavior in terms of conductivity and energy gap gaps. In this study, cavity formation method was used to achieve positive and negative semiconductors. The research carried out with the single atomic removal of the structure of nineteen-degree graphene nanosheets concluded that the removal of atoms in a row had the same effect on the energy gap gap. This effect can be the basis for designing parts with conductive, semiconducting, and non-conductive structures.