شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
اثر پهنا برروي رسانندگي الكترون‌ها در نانونوار گاليم نيتريد
عنوان به زبان ديگر :
Width effect on the conductivity of electrons in Gallium Nitride nanoribbon
پديدآورندگان :
شرفي بتول sharafi.batol@gmail.com گروه علوم پايه، دانشگاه صنعتي اراك، اراك؛ , بهرامي بهرام bahram.bahrami@yahoo.com گروه فيزيك، دانشگاه تفرش، تفرش؛ , گودرزي مجتبي sharafi.batol@gmail.com گروه علوم پايه، دانشگاه صنعتي اراك، اراك؛
كليدواژه :
Gallium nitride , Fermi energy , Nanoribbon , Boltzmann transport equation، Gallium nitride , Fermi energy , Nanoribbon , Boltzmann transport equation
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين مقاله ، ترابرد الكتروني نانونوار نيم‌‌رساناي گاليم نيتريد با استفاده از معادله بولتزمن در تقريب زمان واهلش محاسبه شده است. با در نظر گرفتن سازوكارهاي پراكندگي از ناخالصي‌هاي يونيزه شده رسانندگي را برحسب چگالي ناخالصي، عرض نانونوار و انرژي فرمي بدست مي‌آوريم. در اين محاسبات نشان خواهيم داد كه با افزايش پهناي نانونوار ، رسانندگي افزايش مي‌يابد. همچنين اثر پراكندگي ناخالصي نيز بر روي رسانندگي براي انرژي‌هاي فرمي مختلف مورد بررسي و مطالعه قرار مي‌گيرد.
چكيده لاتين :
In this article, the transport of electrons in gallium nitride semiconductor nanoribbon is investigated by using the Boltzmann equation within the relaxation time approximation. By including the scattering of ionized impurities, we obtain the conductivity as a function of impurity density, nanoribbon width and Fermi energy. The numerical results show that the conductivity increases by increasing the nanoribbon width. Also, we consider the effect of impurity scattering on the conductivity for different Fermi energy.
