شماره ركورد كنفرانس :
4206
عنوان مقاله :
تحرك الكتروني در گاز الكتروني يك بعدي گاليم نيتريد
پديدآورندگان :
شرفي بتول گروه علوم پايه، دانشگاه صنعتي اراك، اراك , بهرامي بهرام گروه فيزيك، دانشگاه تفرش، تفرش , گودرزي مجتبي گروه علوم پايه، دانشگاه صنعتي اراك، اراك
عنوان كنفرانس :
اولين همايش نانو فناوري و كاربردهاي ان در علم و صنعت
چكيده فارسي :
در اين مقاله، تحرك‌پذيري الكترون‌ها را براي گاز الكتروني يك بعدي گاليم نيتريد براي چگالي ناخالصي مختلف مورد بررسي قرار مي‌دهيم. در محاسبات انجام گرفته براي تعيين تحرك از معادله بولتزمن و تقريب زمان واهلش استفاده شده است. در دماي صفر كلوين الكترون‌ها توسط ناخالصي‌هاي يونيزه شده پراكنده مي‌شوند. با در نظر گرفتن مكانسيم پراكندگي از ناخالصي‌هاي يونيزه شده معادله بولتزمن را با استفاده از تقريب زمان واهلش حل مي‌كنيم. در محاسبات تحرك‌پذيري، ساختار نوار انرژي نيم‌رساناي GaN را بصورت سهمي در نظر مي‌گيريم. در نهايت تحرك الكترون‌ها بر حسب پهناي نوار GaN ترسيم شده است. همانطور كه انتظار مي‌رفت، با افزايش پهناي نوار GaN، تحرك افزايش مي‌يابد.
