مدل سازي وطراحي ترانزيسترهاي بر پايه نانو واير سيليكاني

ترانزيستورهاي نانوواير سيليكاني مي توانند با قطري در حدود چند نانومتر و با شكل هاي استوانه اي، مستطيلي و يا مثلثي توليد شوند. اين ترانزيستورها مي توانند بعنوان بلوك هاي اصلي براي قطعات نانوالكترونيك مانند ترانزيستورهاي اثر ميدان مورد استفاده قرار بگيرند.در اين مقاله عملكرد نانو ترانزيستور ساختار ترانزيستور Si NWFET با نرم افزار سيلواكو، و بررسي تاثير پارامترهاي ساختار از جمله ضخامت لايه ي اكسيد، ضخامت لايه ي نانوواير، ميزان ناخالصي و غيره، مي پردازيم و يك ساختار بهينه براي Si NWFET ارائه مي كنيم. مدل سازي و در نهايت ساختار پيشنهادي از لحاظ ابعاد و پارامترهاي فيزيكي بهينه سازي خواهد شد كه اين كار با نرم افزار سيلواكو انجام خواهد شد