تحليل نظري خواص الكترونيكي و اپتيكي تركيب سراميكي Ti3SiC2

در اين مقاله خواص الكترو-اپتيكي تركيب Ti3SiC2 از جمله ساختار نواري و چگالي حالت ها ، شدت انتقال بين نواري و چگالي ابر الكتروني تركيب Ti3SiC2 بررسي گرديد. اين محاسبات در چارچوب نظريه ي تابعي چگالي (DFT) با استفاده از روش پتانسيل كامل و امواج تخت افزوده خطي شده (FP-LAPW) و با بكارگيري تقريب شيب تعميم يافته (GGA) مورد بررسي و مقايسه قرار گرفت. نمودار ساختار نواري نشان داد كه اين ماده رساناي خوب الكتريسيته مي باشد. بررسي نمودار چگالي حالت ها نشان داد اوربيتال 3d اتم Ti بيشترين سهم در رسانايي اين تركيب دارد و بررسي نمودار شدت انتقال انرژي نشان داد خواص اپتيكي اين تركيب در راستاي YY و ZZ اهميت پيدا كند.. نتايج بدست آمده نشان ميدهد اين تركيب رساناي بالا الكتريكي را داراست و مستعد براي جايگزيني مس در اتصالات الكترونيكي است.