بررسي فرآيند تكثير اكسيتوني در نانوبلورهاي سيليكن و ژرمانيوم

يكي از روش ها براي افزايش بازده نوري افزاره هاي سلول خورشيدي مبتني بر نانو ساختار، استفاده از فرآيند تكثير اكسيتوني(MEG) مي باشد كه در آن تحت شرايط معيني به ازاي جذب يك فوتون چندين اكسيتون ايجاد مي شود. در اين مقاله ما نرخ تكثير اكسيتوني را در نانوبلورهاي سيليكن و ژرمانيوم بدست آورده و مقايسه كرده ايم. نتايج ما با روش EOM-CCSD نشان مي دهد كه فرآيند MEG در نانوبلور ژرمانيوم حدود 8/ 0 eV زودتر از نانوبلور سيليكن شروع شده و آستانه آن حدود 8 درصد كمتر است. آستانه MEG محاسبه شده بر مبناي شكاف انرژي نوري بوده و نتايج ما تطابق مناسبي با گزارش هاي آزمايشگاهي دارد.