مدل سازي و شبيه سازي تأثير بمب الكترومغناطيسي HPM بر روي سامانه ها و قطعات الكترونيكي مراكز فرماندهي و كنترل در باند UHF

محافظت از دستگاه های الكترونیكی سامانه ها و مراكز فرماندهی و كنترل در برابر امواج الكترومغناطیس ساطع شده از بمب های الكترومغناطیس همواره موردتوجه محققین بوده است. به همین منظور در این مقاله، تأثیر یك بمب الكترومغناطیس HPM بر روی قطعات الكترونیك در باند UHF مورد بررسی قرارگرفته است. در ابتدا فنّاوری ماكروویو توان بالا بررسی و سپس خروجی تشعشعی سیستم توصیف شده و پترن انتشار میدان الكترومغناطیسی نسبت به فاصله تخمین زده می شود. بعد از آن مكانیسم كوپلینگ بین سیستم خروجی HPM و سیستم هدف بررسی و با سطح های آستانه خرابی قطعات الكترونیكی مقایسه می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد كه افزایش فاصله و انجام شیلدینگ به صورت بسیار محسوسی در حفاظت از سامانه های هدف در برابر اثرات مخرب HPM مؤثر است به طوریكه مقدار توان كوپلینگ بمب الكترومغناطیسی فرضی در 500 متری هدفی با شیلدینگ 40 دی بی، نزدیك به صفر بوده كه این مقدار شیلدینگ، جهت حفاظت از دستگاه ها مطلوب است.