بررسي تاثير،) وجود پيوندگاه وطول فلزات گيت( بر روي عملكردترانزيستور نانوسيمي سيليكني تمام گيت استوانه اي چهار فلزي

در اين تحقيق عملكردترانزيستورنانوسيمي سيليكني تمام اطراف گيت استوانه اي بدون پيوند – (nnn) و با پيوند (npn) بررسي ، شبيه سازي ومقايسه شده است.اين مقايسه در دو حالت با طول فلزات گيت مساوي 7.5 نانومتر و طول فلزات گيت مختلف ) 12 و 8 و 6 و 4 ( نانومترانجام گرفته است . در اين روش فلز نزديك سورس بالاترين تابع كار و فلز نزديك درين كمترين تابع كاررا دارا مي باشد. طول گيت 30 نانومتر، ضخامت نانوسيم 1نانومتر، ضخامت ) 2Sio ) 1 نانومتر و ضخامت ) 2Hfo ) 3 نانومتر وضخامت گيت 2 نانومترمي باشد. 3−cm 1910× 1=GN = DN,3−cm 2010× 1=SN در اين تحقيق از شبيه ساز Atlas Silvaco device Simulator براي شبيه سازي استفاده شده است. متغيرهاي مورد بررسي در اين تحقيق، ولتاژآستانه، DIBL )كاهش دپتانسيل ناشي از ولتاژدرين (، Ion )جريان روشني( و Ioff )جريان خاموشي( مي باشد. ولتاژ آستانه درترانزيستورپيوندي با طول فلزات گيت نامساوي بيشترين مقدار بوده است. Ion در ترانزيستوربدون پيوند با طول فلزات گيت مساوي داراي بيشترين مقدار و Ioff درترانزيستورپيوندي با طول فلزات گيت مساوي كمترين مقداررا دارا مي باشد. در حالت كلي، ترانزيستور با پيوند با طول فلزات گيت نامساوي در مقايسه با سايرترانزيستورها داراي كمترين مقدار DIBL مي باشد.