مقايسه سلولهاي گاليم آرسنايد (GaAs) و سيليكوني چند پيوندي عمودي (VMJ) به عنوان مبدل هاي بكار رفته در سيستمهاي انتقال الكتريسيته با استفاده از تابش ليزر

در سيستم هاي انتقال الكتريسيته با استفاده از تابش ليزري، غالبا مبدل هاي فوتوولتاييك گاليم آرسنايد با بازدهي هاي بالاي ٪50 بكار برده مي شوند. اخيرا سلول هاي سيليكوني چند پيوندي عمودي نيز به منظور تبديل نور تكفام به الكتريسيته مورد مطالعه قرار گرفته اند. در اينجا به مطالعه و بررسي اين دو فناوري و كاربرد آنها در سيستم هاي انتقال نوري الكتريسيته پرداخته شده است. نحوه توليد، ساختار، مشخصات فيزيكي و بازدهي تبديل، بصورت مقايسه اي بررسي شده است. پس از مشاهده نتايج بدست آمده، بنظر مي رسد سلول هاي سيليكوني VMJ همراه با متمركز كننده بازدهي تبديل بالايي (٪43) را براي تابش تكفام ليزر با طول موج 975 نانومتر نشان مي دهند، با وجود اين در شرايطي مشابه سلول هاي گاليم آرسنايد چند پيوندي و همراه با متمركز كننده، جفت شدگي بهتري را با تابش ليزرهاي ديودي دارد و به بازدهي تبديل تا ٪58.3 در حالتي كه توان فرودي 200 وات بر سانتيمتر مربع است، دست يافته است. با توجه به توان و ولتاژ خروجي، حتي مي توان كاربرد هاي متفاوتي را براي هر يك از فناوري ها در نظر گرفت. اما از نظر پيچيدگي ها و هزينه هاي توليد، سلول هاي سيليكوني وضعيت بهتري دارند. البته در صورت وجود متمركز كننده ها در پروسه توليد، از اين نظر اختلاف چنداني ميان دو فناوري وجود ندارد.