مدلسازي تقويت كننده توان فركانس راديويي باند X مبتني بر فناوري MMIC براي سامانه هاي مخابراتي ماهواره هاي سنجشي

MMIC-based bandwidth radio frequency bandwidth modeling for satellite telecommunication systems

دراين مقاله يك تقويت كننده توان فركانس راديويي باتوان خروجي و راندمان بالا مبتني برفناوري MMIC (Circuit Integrated Microwave Monolithic) در محدوده ي باند X (8تا 12 گيگاهرتز) براي تله متري ماهواره هاي سنجشي دركلاس E و به صورت دو طبقه با ولتاژ باياس VD=40vو VG=-2vطراحي و شبيه سازي شده است.براي اين كار از پروسه (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) GaN HEMT استفاده شده است.بهره سيگنال كوچك تقويت كننده نهايي حدود 25dB و حداكثرتوان خطي 49.3 dBm در فركانس GHz10مي باشد.راندمان نهايي براي تقويت كننده حدود 49% مي باشد كه به ازاي توان ورودي Pin=40dBm به دست مي آيد.توان اشباع تقويت كننده به ازاي Pin=40dBm حدود 195 وات مي باشد و از لحاظ پارامتري هاي خطينگي AM/PM حدود -5 deg/dB و مقدار (intermodulation Distortion Third Harmonic) IMD3 در تست دوتن حدود -21 dBc بدست آمده است.

In this paper, a high-power radio frequency power amplifier based on the MMIC (Circuit Integrated Microwave Monolithic) technology in the X-band range (8 to 12 GHz) for the telemetry of the E-Class satellite and two-stage voltage bias VD = 40v and VG = -2v have been designed and simulated. The GaN HEMT Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor has been used. The small signal amplifier has a final amplifier of 25dB and a maximum linearity of 49.3 dBm at a frequency of 10 GHz. The final operation For the amplifier it is about 49%, which is obtained for the input power of Pin = 40dBm. The amplifier saturation power for Pin = 40dBm is about 195 watts In terms of the AM / PM deflection parameters, about -5 deg / dB and Intermodulation Distortion Third Harmonic (IMD3) are obtained at -21 dBc in the two tests.