طراحي تقويت كننده ي كم نويز، كم توان با رويكرد بهبود خطينگي براي كاربرد هاي بي سيم 10.6-3.1 مبتني بر تكنولوژي 130 نانومتر CMOS.

Design of Low-Power and Linearity Improved Low Noise Amplifier for 3.1-10.6 GHz for Wireless applications in 130nm CMOS Process.

دراين مقاله روند طراحي يك تقويت كننده ي كم نويز، كم توان، دوطبقه سورس مشترك را ارائه مي دهيم در ساختار پيشنهادي جهت بهبود خطينگي در توان و ولتاژ تغذيه ي كم، از روش هاي تطبيق مشتق اصلاح شده و تغذيه ي مستقيم بدنه بهره گرفته شده است سلف هاي Ls ، Lg و خازن Cexدر طبقه سورس مشترك اول، به منظور ايجاد هم زمان تطبيق امپدانس ورودي و نويزكم طراحي شده است روش تغذيه ي مستقيم بدنه براي كاهش ولتاژ تغذيه در طبقه هاي اول و دوم به كار رفته و درنهايت منجر به كاهش توان مصرفي مي شود طبقه دوم طراحي شده جهت بهبود خطينگي مدار، متشكل از دو ترانزيستور موازي سورس مشترك NMOS و سلف ارتقاي بهره Ld1 است ترانزيستور اصلي و كمكي M2 و M3به ترتيب در ناحيه وارونگي شديد و وارونگي متوسط تغذيه شده اند با حضور ترانزيستور M3 مولفه هاي غيرخطي مرتبه سوم جريان خروجي كاهش پيدا مي كند و منجر به افزايش نقطه تداخل ورودي مرتبه سوم مي گردد با شبيه سازي مدار در تكنولوژي 130nm CMOS با ولتاژ تغذيه 0.6 V، تقويت كننده داراي توان مصرفي5/71 mW، بهره ولتاژبه طور متوسط 11dB با تغييرات 1dB در باند فركانسي GHz 11-5، شكل نويز 0.755 3dB در باند 3-11 GHz، تطبيق امپدانس ورودي كم تر10 در طول كل باند فركانسي مطلوب و 5dBm IIP3 است.