بررسي و محاسبه جريان نشتي ديود سيليكوني در معرض تابش پروتون هاي فضايي با استفاده از تغييرات طول عمر حامل ها

در اين كار تغييرات جريات نشتي در يك ديود سيليكوني ، به عنوان آرايه اصلي بسياري از قطعات الكترونيكي، در معرض تابش پروتون هاي فضايي مورد بررسي قرار گرفته است. به اين منظور از كد مونت كارلوي GEANT4 براي محاسبه اتلاف انرژي غيريونيزان در قطعه استفاده شده است. شبيه سازي پارامترهاي الكتريكي اين قطعه و تغييرات آن ها در شارهاي مختلف پرتوهاي پروتوني نيز توسط نرم افزار SILVACO انجام شده است. نتايج نشان مي دهد كه جريان نشتي با افزايش شارش پروتون هاي فرودي تاp/cm2 12 10× 1/2 در حدود 85/1 برابر مقدار آن قبل از تابش افزايش پيدا كرده و به حدود nA/µm 2/96 مي رسد.