تأثير بسامد و ولتاژ انباشت بر روي خواص مغناطيسي نانو سيم Fe84P16

Influence of deposit frequency and voltage on magnetic properties of Fe84P16 nanowire

نانو سيم هاي آلياژي Fe84P16 در قالب اكسيد آندي آلومينيوم با روش الكتروانباشت تحت جريان متناوب ساخته شدند. اثر بسامد، ولتاژ انباشت و تابكاري بر روي خواص مغناطيسي نانوسيم ها مطالعه شد. نتايج مربوط به بسامد نشان مي دهد كه بيشترين مقدار ميدان وادارندگي (1149 اورستد) براي نمونه انباشت شده با بسامد 200 هرتز به دست آمد. با تغيير ولتاژ انباشت تغيير محسوسي روي ميدان وادارندگي مشاهده نشد. اما با انجام عمليات تابكاري ميدان وادارندگي نانوسيم ها در ولتاژ 30 از مقدار 837 اورستد در دماي اتاق به 1440 اورستد در دماي 600 درجه سانتيگراد رسيد. خواص مغناطيسي نمونه ها توسط مغناطو سنج نيروي گراديان متناوب(AGFM) و همچنين ساختار بلوري نمونه ها توسط دستگاه طيف سنج پراش اشعه( XRD ) بررسي شد.

The Fe84P16 nanowire were fabricated by AC electrodeposition into anodic aluminium oxide templates. The results show that, the maximum value of Hc (1149Oe) was obtained for the sample deposited with 200Hz frequency. The Hc was not change with changing voltage. But after annealing the Hc of nanowire change from 837Oe at room temperature to 1440Oe at 600○C. Their magnetic properties were investigated using alternating gradient force magnetometer (AGFM) and crystal structure of the samples was investigated by XRD