ثر ناخالصي بر TMR و مشخصهي I-V در نانو ساختارهاي مغناطيسي

The Influence of Impurities on TMR and I-V Characteristics in Nanoheterostructures

مقاله ي حاضر به بررسي نظري اثر ناخالصي نقطه اي درون يك لايه ي ديالكتريك (I) كه بين دو الكترود فرومغناطيس (F) قرار دارد، بر مشخصه ي ولت - آمپر و مقاومت مغناطيسي تونلي(TMR) ميپردازد . نشان داده شده است كه جريان و TMR در نزديكي ناخالصي به شدت افزايش مييابد . همچنين اگر مكان ناخالصي درون دي الكتريك نسبت به مرز لايه ها متقارن نباشد،I-V رفتاري ديودگونه خواهد داشت .

Theoretically investigated the influence of impurities embedded into the insulating barrier (I) separating the two ferromagnetic electrodes (F) on the I-V characteristics and tunnel magnetoresistance (TMR). It is shown that the current and TMR are strongly enhanced in the vicinity of impurity. If the position of impurity inside the barrier is asymmetric, the I-V characteristic exhibits a quasidiode behavior.