مطالعه ي اثرات ميدان الكتريكي بر كنترل خواص الكتروني در نانو ديسك هاي گرافيني شش ضلعي

Field effects on the electronic properties of hegxagonal graphene quantum dots

از روش تنگابست براي بررسي ساختار تك الكتروني ديسك هاي كوانتومي گرافيني شش ضلعي كه در معرض ميدان الكتريكي يكنواخت قرار گرفته استفاده مي شود استفاده از معادله ي پواسن به منظور اعمال ميدان هاي الكتريكي يكنواخت، مي تواند انرژي جايگاهي را براي تمام اتمهاي كربن تغيير دهد. نتايج نشان مي دهد كه ويژه حالت هاي كم-انرژي بطور قابل توجهي به ميدان هاي يكنواخت تغيير كرده، كه كنترل الكتريكي حالت هاي كم انرژي (حالات نزديك سطح فرمي) را ممكن مي كند. اين كنترل توسط ميدان الكتريكي يكنواخت مي تواند يك راه كارآمدتر براي تنظيم تبهگني حالت هاي كم انرژي باشد. دستاوردهاي ما ممكن است براي بكارگيري ديسك هاي كوانتومي گرافيني در قطعات الكترونيكي و فوتوولتائيك مفيد باشد.

The tight-binding method is employed to investigate the single-electron electronic structure of hegxagonal graphene quantum dots subject to uniform electric field. The uniform electric fields could change the on-site energy for all carbon atoms by poisson equation. The results show, the low-energy eigenstates vary significantly with the uniform electric fields, which allows electrical control of the low-energy states. This control by uniform electric field can be more efficient way to tune the degenerate zero-energy states. Our findings may be useful for the application of graphene quantum dots to electronic and photovoltaic devices.