بررسي خواص ساختاري و الكتروني ساختارهاي و Si، 3C-SiC و C- الماسي

Study of structural and electronic properties of 3C-SiC, Si and C- diamond structures

در اين مقاله ويژگي ساختاري و الكتروني ساختار هاي Si ، 3C - SiC و C- الماسي بررسي شده است. محاسبات با استفاده از تقريب چگالي موضعي LDA به روش شبه پتانسيل در چارچوب نظريه تابعي چگالي با كد محاسباتي PwsCf نرم افزار كوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. با استفاده از اين روش، ثابت شبكه تعادلي، ساختار نواري چگالي حالت الكتروني، چگالي حالت هاي جزيي الكتروني و چگالي بار الكتروني بررسي شد. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه گذار هاي اپتيكي ساختار C الماسي در مقايسه با دو ساختار ديگر بيشتر است

In this paper, the structural properties and electronic structures of 3C-SiC, Si and C - diamond have been investigated. The calculations were done using local density approximation (LDA) Pseudo potential method in the frame work of density functional theory with computational code Pwscf Software Quantum Espresso. The Equilibrium lattice constant, Band structure, Electron density of states, the partial electron density of states & Electron charge density was evaluated. The results show that the optical transition the structure Diamond C is higher than the other two structures.