بررسي خواص ساختاري و الكتروني تك لايه SiB با تهي جاي Si و B

Investigation of structural and electronic properties of monolayer SiB with vacancy Si and B using density functional theory

خواص ساختاري وچگالي حالات الكتروني تك لايه لانه زنبوري SiB را با استفاده از نظريه تابعي چگالي و به كارگيري نرم افزار Wein2K مورد مطالعه قرار داده ايم طبق محاسبات ما تك لايه لانه زنبوري SiB بر خلاف بيشتر تك لايه ها نيم رسانا يا شبه فلز نيست. نوار ظرفيت π و دونوار بالاتر σ به صورت جزئي پر شده است، اين منجر به يك چگالي الكتروني بالادر اطراف سطح فرمي و رفتار فلزي اين ماده ميشود. ايجاد تهي جا در اين تك لايه سبب چگالي الكتروني بسيار بالادر بالاي سطح فرمي مي شود كه ميتواند منجر به واكنش پذيري بالايي براي اين ماده شود.

We have studied the structural properties and density of electronic states of honeycomb SiB monolayer using density functional theory and implemented in WEIN2K code. According to our calculations in contrast to most monolayers, SiB monolayer is not semiconductor or semimetal. The π valance band and two highest σ bands are only partially filled. As a result, it cause high density of state around the Fermi level and so metallic behavior for this material. Vacancy in this monolayer leads to very high electron density above the Fermi level that cause a high reactivity in this structure.