شماره ركورد كنفرانس :
3375
عنوان مقاله :
اثر تعداد پالس ليزر بر فاز و ريزساختار سطح و حالت رشد لايه هاي نازك تيتانات باريم استرانسيم توليد شده به روش ليزر پالسي
عنوان به زبان ديگر :
Effect of number of pulses on crystalline phases and microstructure and growth mode of barium strontium titanate thin films grown by pulsed laser deposition technique
پديدآورندگان :
ساروخاني زهرا دانشگاه صنعتي شريف - دانشكده مهندسي و علم مواد , طهماسبي نعمت دانشگاه صنعتي جندي شاپور دزفول - دانشكده ي علوم پايه , مهدوي محمد دانشگاه صنعتي شريف - دانشكده فيزيك , نعمتي علي دانشگاه صنعتي شريف - دانشكده مهندسي و علم مواد
كليدواژه :
لايه هاي نازك تيتانات باريم استرانسيم , پالس ليزر , فاز , روش ليزر پالسي
عنوان كنفرانس :
دوازدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين پژوهش، با استفاده از روش لايه نشاني ليزر پالسي، لايه هاي نازك Ba0.6,Sr0.4)TiO3) در فشار اكسيژن mTorr
100 با تعداد پالس 9000 و 18000 بر روي زيرلايه Si / SiO2 نشانده شد. از آنجاييكه نمونه هاي لايه نشاني شده ساختار آمورف دارند براي به دست آوردن لايه هاي كريستالي نمونه ها پس از لايه نشاني در دماي C° 720 به مدت 50 دقيقه در اتمسفر اكسيژن پخت شدند. براي بررسي اثر تغييرات تعداد پالس بر ساختار كريستالي و مورفولوژي لايه ها از آناليزهاي XRD AFM و SEM استفاده شد. بر اساس نتايج بدست آمده، مشخص شد هر دو نمونه پس از پخت ساختار پلي كريستال دارند. با افزايش تعداد پالس ها، ضخامت و زبري لايه افزايش و مقدار گاف انرژي كاهش يافت. همچنين نحوه رشد لايه ها از حالت دو بعدي به حالت سه بعدي بررسي شد.
چكيده لاتين :
In this paper, (Ba0.6,Sr0.4)TiO3(BST) thin film has been deposited on the Si/SiO2 substrate using pulsed laser
deposition technique at 100 mTorr working pressure and different number of pulses: 9000 and 18000. The
structure of the as deposited films is amorphous. In order to get a crystalline structure, they were annealed in
oxygen ambient at 720°C for 50 minutes. The effect of pulse number on the films was investigated using (XRD),
(AFM) and (SEM) analysis method. The results indicate the annealed films show a polycrystalline structure, but
as the number of pulses is enhanced, both thickness and roughness of the films are increased whereas the
energy band gap is decreased. In addition, growth mode of layers turns from two dimensional to three
dimensional.