طراحي و ساخت آشكارسازهاي نوري با استفاده از اتصال شاتكي Ni/n-Si/Al

Design and construction of photo detectors with Ni/n-Si/Al Schottky contacts

اخيرا توجه بسياري به آشكارسازهاي نوري سد شاتكي با توجه به ويژگيهاي خوب و ساخت آسان آنها شده است. در اين مطالعه نمونه هايي از قطعات سد شاتكي كه با روش لايه نشاني بخار فيزيكي PVD آماده شده اند، مورد بررسي قرار گرفته است. ابتدا لايه نازك نيكل و آلومينيوم به ترتيب به عنوان اتصال شاتكي و اهمي در طرفين ويفر سيليكوني لايه نشاني شده است. تغييرات جريان بصورت يك تابع ولتاژ معكوس در حالت تاريك و سپس با تابش ليزر اندازهگيري شده است. ديده مي شود كه با اعمال ليزر جريان فوتوني توليدي به شدت افزايش مي يابد. بنابراين مي توان از اين قطعه به عنوان آشكارساز نوري بسيار مناسب استفاده كرد.

Recently, a lot of attention has been paid to Schottky barrier photo detectors due to their promising properties and easy fabrication. In this research our samples of SD(Schottky Diode) devices prepared by thermal deposition under high vacuum. Thin films of Nickel and Aluminum were on the sides of silicon wafer. Variation of photo generated current as a function of reverse bias in dark state and then with He-Ne laser was measured. It was found that the value of current will increased with laser. Hence this sample can be used as a photo detector.