شماره ركورد كنفرانس :
3308
عنوان مقاله :
مطالعه ي اثر تھي جاي قلع بر ويژگي هاي ساختاري، مغناطيسي و الكتريكي آلياژ حافظه پذير و فرومغناطيس Ni47Mn40Sn13-x
عنوان به زبان ديگر :
Investigation of Sn vacancy effect on the structural , magnetic and electrical properties of Ni47Mn40Sn13-x
پديدآورندگان :
هدايتي، حميد دانشگاه صنعتي اصفهان - دانشكده فيزيك , كاملي، پرويز دانشگاه صنعتي اصفهان - دانشكده فيزيك , قطبي ورزنه، علي دانشگاه صنعتي اصفهان - دانشكده فيزيك , سلامتي، هادي دانشگاه صنعتي اصفهان - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
Ni47Mn40Sn13-x , آلياژ حافظه پذير فرومغناطيس , آلياژسازي مكانيكي , ويژگي مغناطيسي
سال انتشار :
شهريور 1394
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۹۴
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين تحقيق آلياژ حافظه پنير فرو مغناطيس Ni47Mn40Sn13-x x = 0 ، 0 / 5 ، 1 به روش آلياژسازي مكانيكي ساخته شد. بدين منظور پودر اوليه به مدت 20 ساعت آسياب شد و در ادامه تحت عمليات حرارتي قرار گرفت. الگوي پراش اشعه ايكس نمونه ها نشان ميدهد كه با افزايش تھي جاي قلع، قله هايي از فاز مارتنزيت مشاهده مي شود. همچنين اثر تهي جاي قلع بر ويژگي هاي ساختاري، مغناطيسي و الكتريكي نمونه ها بررسي شد. نتايج پذيرفتاري مغناطيسي نشان مي دهند كه با افزايش تهي جاي در نمونه (0 / 5 = x) دماي گذار ساختاري كاهش يافته و در نمونه (1 = X) گذار ساختاري ناپديد شده است. بررسي رفتار مقاومت الكتريكي نمونه ها توافق خوبي با نتايج پذيرفتاري مغناطيسي دارد.
چكيده لاتين :
In this investigation Ni47Mn40Sn13-x□x ferromagnetic shape memory alloy was prepared by mechanical alloying. The metal powders was ball milled for 20 hours and subjected to heat treatments. The x-ray diffraction patterns of the samples indicate that the martensitic peaks observed with the increasing of the amount of Sn vacancy. Also the effect of Sn vacancy on magnetic,electrical and structural properties were investigated. Results show that in sample (x=0.5) martensitic transformation (MT) temperatures decreased and in sample (x=1) MT disappeared. The electrical resistances behavior of samples have a good agreement with susceptibility.
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت