p256. اثر پارامتر گاف و تزريق الكترون روي خواص ترموالكتريكي نانولوله‌ آرمچير با در نظر گرفتن تقريب همسايگان دوم

The Effect of gap parameter and electron doping on thermoelectric properties of Armchair nanotube by considering next nearest neighbor approximation

در اين مطالعه خواص ترموالكتريك وابسته به دماي نانولوله آرمچير مورد بررسي قرار گرفته است. براي محاسبه خواص الكتروني از مدل هاميلتوني تنگ‌بست با در نظر گرفتن تقريب همسايگان دوم و رهيافت تابع گرين استفاده شده است. سپس با استفاده از نظريه پاسخ خطي رسانندگي الكتريكي و گرمايي، ضريب سيبك و شاخص شايستگي بدست آمده است. اثر پارامتر گاف و تزريق الكترون مورد مطالعه قرار گرفته است. نتايج نشان مي‌دهد با اعمال پارامتر گاف و تزريق الكترون رسانندگي گرمايي كاهش و ضريب سيبك افزايش مي‌يابد. همچنين تزريق الكترون باعث تغيير حامل‌هاي بار شده است.

In this study, temperature dependence of thermoelectric properties of armchair nanotube has been investigated. The tight binding model Hamiltonian in the context of next nearest neighbor approximation within Green’s function method has been used to calculate the electronic properties. Afterwards, the electrical and thermal conductivity, seebeck coefficient and figure of merit have been found using linear response theory. The effect of gap parameter and electron doping have been studied. The results show that enhance of gap parameter and electron doping lead to increase thermal conductivity and decrease seebeck coefficient. Also electron doping causes to vary charge carrier type.