شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p596. اثر نقص ساختاري سطحي در نانوتيوب هاي دوبخشي با رويكرد نظريه تابع چگالي
عنوان به زبان ديگر :
The Effect of Structural Surface Defects in the Two-segmented Nanotubes: DFT Approach
پديدآورندگان :
اختريان فر سيد فرشاد farshad.akhtarian@gmail.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛ , ابطحي فاطمه السادات ghazale.abtahi.a@gmail.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛ , شجاعي سعيد shojaei.sh@gmail.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
نانوتيوب هاي دوبخشي , نظريه تابع چگالي , نقص استون-والز , two-segment nanotube , DFT , Stone-Wales defect , 73.20.At
سال انتشار :
1398
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله، با استفاده از نظريه تابعي چگالي، به بررسي اثر نقص وابسته به مكان در نانوتيوب هاي چندساختاري كربن/برون-نايترايد پرداخته شده است. نانوساختارهاي مورد استفاده در اين كار، از نوع هيبريدي و زيگزاگ (10،0) در نظر گرفته شده اند. در اينجا، ما گزارشي از اهميت جايگاه قرارگيري نقص استون-والز در سطح نانوتيوب و تاثير آن بر روي خواص الكترونيكي و اپتيكي ساختار را ارائه مي كنيم. نتايج نشان مي دهد، خواص الكترونيكي و اپتيكي وابستگي شديدي به موقعيت قرارگيري نقص در روي قطعه هاي گرافني و يا برون نايتراد دارد. اين تغييرات ناشي از انرژي تشكيل نقص و تاثيرات آنها بر روي پيوندها نشان داده شده است. با استفاده از نقشه دوبعدي بار الكتروني نشان داده ايم كه تغييرات پيكربندي پيوندها در اثر جابجايي نقص استون-والز باعث ايجاد ناهمگوني هايي در اوربيتال هاي π اشغال شده مي شود كه نتايج آن بر روي خواص اپتيكي از جمله جذب ساختار مشهود است. اين نتايج مي تواند در فهم بهتر ساختار براي استفاده در كاربردهاي الكترواپتيكي مورد استفاده قرار گيرد.
چكيده لاتين :
Ab initio DFT functional calculations of Stone-Wales (SW) defect are performed to investigate the electronic and optical characteristics of (10,0) zigzag-edged hybrid Carbone/Boron-Nitride (C/BN) two-segmented nanotubes Here, we report a study on the effective role of SW defect located at different radial positions along the nanotube. The calculated band gap of the structures and also SW formation energies reveal that the defects preferentially localize at the very interface of the BN and graphene segments. Moreover, the critical importance of the boundary-oriented SW defect (either BN or graphene edges) is comprehensively studied using optical absorption spectra, electron charge density 2D maps, and bonding configurations of occupied/unoccupied π orbitals corresponding to the B-C/C-N bonds. Our results provide new insights into the band gap engineering of C/BN two-segmented nanotubes which are the potential candidate for the future optoelectronic applications.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت