شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p498. بررسي اثر ناخالصي روي مشخصه جريان- ولتاژ ترانزيستور اثرميدان مبتني بر نانونوار سيليسيني
عنوان به زبان ديگر :
InvestigationOf Impurity Effect on the Current-Voltage Diagram Of Silicene nanoribbon Field-Effect Transistor
پديدآورندگان :
حسن پور كاشاني شراره hasanpour.sh2014@gmail.com دانشگاه تبريز؛ , مشگين قلم بهار bahar.meshginqalam@gmail.com دانشگاه تبريز؛ , بروستاني جمال barvestani@gmail.com دانشگاه تبريز؛
كليدواژه :
: ترانزيستور اثر ميدان , سيليسين , نانو نوار سيليسيني , تئوري تابع چگالي , field effect transistor , silicene , silicene nanoribbon , density function theory , 7368
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
جريان عبوري از كانال در ترانزيستور اثر ميدان با افزودن ناخالصي تحت تاثير قرار مي گيرد. در اين مقاله، اثر دو نوع اتم از گروه سوم و گروه پنجم جدول تناوبي به عنوان ناخالصي با تراكم هاي مختلف را در ترانزيستور اثر ميدان مبتني بر نانونوار آرم چير مورد پژوهش قرار داده ايم مشخصه جريان- ولتاژ در دو ولتاژ گيت متفاوت براي تراكم هاي مختلف ناخالصي بدست آمده است. نتايج نشان مي دهد،روند افزايشي جريان گذرندهدر حضور اتمهاي پذيرنده و دهنده، در دو ولتاژ گيت رفتار متفاوتي دارند
چكيده لاتين :
The transmitted current of channel in the field effect transistor can be affected by introducing of some impurities. In this paper, we have investigated the effect of two types of atoms from the third and the fifth group of the periodic table as impurities with different densities on the field effect transistor based on the Armchair nanoribbon. The current-voltage characterisitcs have been obtained at two different gate voltage for different concentration of impurities results show that, the trend of current increasing is different at two gate votage in the presence of acceptor and donor atoms
