شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p704. مطالعه ساختار الكتروني نيمرساناي سيليكون نيترايد
عنوان به زبان ديگر :
Study of electronic structure of Silicon Nitrid semiconductor
پديدآورندگان :
خسروي محمد khosravi6246@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود؛ , ايزدي فرد مرتضي mizadifard@shahroodut.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود؛ , قاضي محمدابراهيم mghazi@shahroodut.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود؛
كليدواژه :
سيليكون نيترايد , گاف نواري , نظريه تابعي چگالي , چگالي حالت ها , 71
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
در اين كار ساختار الكتروني نيمرساناي سيليكون نيترايد ( ) در فاز (كه شش گوشي است) با استفاده ازنظريه تابعي چگالي و با استفاده از كد محاسباتي و تقريب شيب تعميم يافته ( ) محاسبه و مورد بررسي قرار گرفت. پس از انجام بهينه سازي هاي لازم، پارامتر هاي تعادلي شبكه و موقعيت پايدار 14 اتم در سلول واحد بدست آمد. نتايج نشان داد كه در حالت حجمي داراي يك گاف نواري غير مستقيم برابر با 2/4 مي باشد. محاسبه چگالي حالت هاي كلي و جزئي اين تركيب نشان داد كه بيشترين سهم در نوار ظرفيت مربوط به اتم و در نوار رسانش هر دو اتم و مشاركت دارند.
چكيده لاتين :
In this work, electronic structure of silicon nitrid semiconductor ( ) in phases (that is hexagonal), were investigated.Calculations are carried out based on the Density Functional Theory (DFT) using wien2k code and the generalized gradient approximation(GGA). After the necessary optimization processes, we have obtained the stable lattice parameters and the stable position of 14 atoms in the unit cellof . Results shows that in bulk phases have an indirect bandgap, was calculated 4.2 .Most contribution in valence-band related atom and in conduction-band contribute both and atoms.
