p43. اثر ولتاژ باياس بر روي خواص ترموالكتريك سيليسم كاربيد دولايه

effect of bias voltage on thermoelectric properties of bilayer silicon carbide

در اين پژوهش تاثير ولتاژ باياس بروي خواص ترموالكتريك مانند رسانندگي گرمايي ، ضريب سيبك و چگالي حالات سيليسم كاربيد دولايه در چينش ساده با مدل تنگ بست با استفاده از رهيافت تابع گرين بررسي مي شود. با استفاده از نظريه پاسخ خطي چگالي حالات ،هدايت گرمايي و ضريب سيبك محاسبه مي شود. نتايج به دست آمده نشان مي دهد با افزايش ولتاژ باياس هدايت گرمايي و ضريب سيبك كاهش ميابدو اعمال ولتاژ باياس باعث ايجاد باند گاف و بزرگتر شدن آن در نمودار چگالي حالات مي شود.

In this research, effect of bias voltage on thermoelectric properties of SiC bilayer (A-A) in the tight binding model by using the Green function approach is investigated. The density of states, the thermal conductivity and the coefficient of seebeck are calculated using linear theory. The results show that, the thermal conductivity and seebeck coefficient decreases with increasing bias voltage and by applying bias voltage, the band gap is created in the density of the state diagram and increases.