تأثير بي‌نظمي در ضخامت لايه بر طول جايگزيدگي اندرسون در بلورهاي فوتوني مغناطيسي

Effect of random thickness on Anderson localization in magnetophotonic crystals

در اين مقاله جايگزيدگي اندرسون در ساختارهاي بلور فوتوني مغناطيسي با ضخامت لايه #38;shy;هاي تصادفي به صورت عددي براي طول موجي واقع در ميانه #38;shy; #38;shy;ي گاف فوتوني (1550 نانومتر) بررسي شده است. طول جايگزيدگي اندرسون براي مقادير مختلف بي #38;shy;نظمي مورد مطالعه قرار گرفته است. نتايج نشان مي #38;shy;دهند كه طول جايگزيدگي به عنوان #38;nbsp; تابعي از پارامتر چرخش مگنتو اپتيكي براي #38;nbsp; قطبش #38;shy;هاي دايروي راستگرد و چپگرد #38;nbsp; متفاوت بوده و به ترتيب #38;nbsp; به صورت خطي افزايش و كاهش مي #38;shy;يابند. همچنين، با افزايش بي #38;shy;نظمي طول جايگزيدگي نيز افزايش مي #38;shy;يابد.

In this paper, the effect of Anderson localization on magnetic photonic crystal structures has been numerically investigated by generating a random error in layer thickness for a wavelength located at the center of photonic band gap. The Anderson localization length has been studied for different disorder strengths. The results show that the localization length, as a function of the magneto-optical rotation parameter, is different for right and left circular polarizations and it is linearly increased or decreased, respectively. In addition, the localization length increases by growth of the disorder strength.